SK海力士
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季度业绩历史新高：SK 海力士 2025 财年第 2 季度营收 22.232 万亿韩元，同比增 35%
SK 海力士今天（7 月 24 日）公布了 2025 财年第 2 财季（截至 2025 年 6 月 30 日）报告，营业收入为 22.232 万亿韩元，同比增长 35%、环比增长 26%。
超越现有工艺极限，消息称 SK 海力士考虑导入飞秒激光等先进晶圆切割技术
先进存储器的晶圆厚度正逐步降低，尤其是在需要多层堆叠且堆栈总高有限的先进 HBM 内存和需要混合键合连接存储单元与外围电路的未来 400 层 NAND 中。
消息称英伟达在 SK 海力士 HBM 内存销售额占比降至 80%：ASIC 吃下更多份额
英伟达需要实现 HBM 内存供应商多元化，SK 海力士也要寻求减少对单一大客户的过度依赖。
占得先机：消息称 SK 海力士已向英伟达少量供应 Rubin GPU 样品所需 HBM4 内存
据称英伟达计划 9 月实现 Rubin AI GPU 的出样，推动 SK 海力士调整供应节奏。SK 海力士规划今年 10 月将 HBM4 12Hi 转入量产阶段。
SK 海力士紧抓 HBM 商机，消息称暂缓 1c DRAM 内存量产设备采购
SK 海力士现在的主力 HBM 产品 HBM3E 和即将量产的 HBM4 均基于 1b 工艺的 DRAM，未来的 HBM4E 才会导入 1c 制程。
SK 海力士：4F2 VG 和 3D DRAM 技术将应用于 10nm 及以下级内存
SK 海力士 CTO 在 2025 年 IEEE VLSI 研讨会上表示，延续现有技术平台进一步提升 DRAM 性能与容量的难度正与日俱增。
消息称 SK 海力士计划 10 月量产 12Hi HBM4 内存，同步英伟达 "Rubin" GPU 节奏
。报道指 SK 海力士的 HBM4 良率现已超过 70%，较今年早些时候的 60% 进一步提升。
HBM 需求强劲，SK 海力士称一季度美国销售占比 72%
根据 SK 海力士 5 月 15 日披露的最新公告，今年第一季度，美国市场占公司总收入 72%，同比去年第一季度美国销售额所占的 50% 增长了 22 个百分点。
和三星没差距！SK海力士GDDR7显存超频至34Gbps：RTX 5070 Ti提升7%
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SK 海力士公布 2025 财年第 1 季度财报：营收 17.6391 万亿韩元，同比增长 42%
SK 海力士今天（4 月 24 日）发布 2025 财年第 1 季度财报（截至 2025 年 3 月 31 日），结合并收入为 17.6391 万亿韩元，同比增长 42%；营业利润为 7.4405 万亿韩元，同比增长 158%。
消息称 SK 海力士拆分 HBM 封装产品开发团队，标准、定制并行
定制 HBM 的的具体设计应案而异，更加强调带宽和功耗的表现，可能会采用定制接口。
消息称 SK 海力士将今年资本支出计划提升 30%，以应对业界激增的 HBM3E 产品需求
据外媒 thelec 报道，SK 海力士决定将今年支出（CAPEX）提高 30%，以应对业界对 HBM3E 产品需求的激增。此前 SK 海力士计划今年在扩展设施上的投资 22 万亿韩元（IT之家注：现汇率约合 1122.66 亿元人民币），但目前这一数字已经上调至 29 万亿韩元（现汇率约合 1479.87 亿元人民币）。
Counterpoint：HBM 助推 SK 海力士 2025 年 1 季度首度登顶 DRAM 市场份额
SK 海力士、三星电子和美光在 2025 年一季度分别拿下 36%、34%、25% 的 DRAM 市场占比，其余企业共分得 5%。
消息称 SK 海力士完成利川 M10F 封装厂产线改造，HBM 月产能提升 1 万片晶圆
该厂此前负责一般 DRAM 产品的后端处理，已通过设备和原材料的引进和更换进行了工艺调整。
SK 海力士加速 HBM 扩产以满足英伟达等客户需求，韩华再次斩获 210 亿韩元订单
该设备是制造 HBM 内存的核心装备，此次订单将涉及 14 台最新型设备。这是继本月初 210 亿韩元订单后，韩华短期内第二次斩获同类设备合同。
消息称 SK 海力士将独家供应英伟达 12 层 HBM3E 芯片
SK 海力士预计将独家供应英伟达 Blackwell Ultra 架构芯片第五代 12 层 HBM3E，预期与三星电子、美光的差距将进一步拉大。（digitimes）
SK 海力士将关闭 CIS 图像传感器部门：团队转向 AI 存储器领域
CIS 团队的逻辑制程技术和定制业务能力将成为存储部门开发新型 AI 存储器的重要助力。
SK 海力士提前启动龙仁半导体集群第一晶圆厂建设，预计 2027 年 5 月完工
SK 海力士将在当地陆续建设四座晶圆厂，整体园区面积接近 2 平方千米，累计投资额将达 120 万亿韩元。
突破 70%！消息称 SK 海力士 HBM4 测试良率再创新高，量产指日可待
SK海力士宣布其第6代12层堆叠HBM4测试良率已达70%，为2025年AI芯片量产奠定基础。得益于第五代10nm级DRAM技术，HBM4性能与稳定性显著提升，预计将快速进入量产阶段，并有望部署在英伟达下一代AI加速器中。#SK海力士# #AI芯片#
