> 资讯 > 业界新闻

史上首次:SK 海力士终结三星在 DRAM 行业长达 33 年的霸主地位

人阅读 2025-08-17 19:51:01SK海力士

8 月 17 日消息,得益于 AI 带动的 HBM 需求,以及与英伟达的独家供货合作,SK 海力士在 2025 年上半年超越了保持 33 年霸主地位的三星电子,成为全球最大 DRAM 制造商。

根据三星周四发布的半年报,其 DRAM 营收市占率在 2025 年上半年降至 32.7%,较 2024 年底的 41.5% 下滑 8.8 个百分点,这是自 1999 年公司开始披露该数据以来的最大跌幅。

这也是三星 DRAM 市场份额近十年来首次跌至 40% 以下,上一次还是 2014 年(39.6%)。三星虽向 AMD 和博通供应 HBM3E,但尚未进入主导 AI 市场的英伟达供应链。

相比之下,SK 海力士的市占率在生成式 AI 浪潮中稳步提升:从 2022 年的 27.7% 上升至 2023 年的 29.9%,2024 年进一步增至 33.4%,并在 2025 年上半年达到 36.3%,时隔 33 年首次超越三星。

自 2024 年 3 月开始向英伟达供货 HBM3E 以来,SK 海力士一直保持其主要供应商地位。Counterpoint Research 数据显示,今年第一季度,HBM 占其 DRAM 营业利润的 54% 之高。

美国市场表现是推动 SK 海力士崛起的关键。今年上半年,其美国子公司销售额达 24.7 万亿韩元(注:现汇率约合 1277.98 亿元人民币),同比增长 103%。今年 7 月 29 日,英伟达代表还到访了 SK 海力士美国分部,彰显双方合作之密切。

随着市场地位的反超,投资者信心亦随之转变。2025 年上半年,SK 海力士的散户股东人数增长 21.3%,超过三星的 18.9%。三星散户股东人数从 425 万增至 505 万,而 SK 海力士则从 56.1 万增至 68.1 万。分析人士认为,这反映了市场对 SK 海力士在 HBM 领域领先地位的乐观预期。

SK 证券分析师韩东熙表示:“HBM 产量同时影响整体 DRAM 产出。HBM 合约量是观察存储器市场前景的最重要因素。即便竞争加剧,SK 海力士预计仍能在短期内保持优势。”

三星方面则强调将通过多元化的 DRAM 产品组合扩大市场份额,并在半年报中表示:“我们计划在下半年继续以盈利性为重点运营,并将积极应对 AI 服务器高容量化趋势,推出包括 HBM、大容量 DDR5 和服务器用 LPDDR5x 在内的产品。”

▲ 图源:SK 海力士

相关阅读:

  • 《历史首度:SK 海力士 2025Q2 反超三星电子成全球第一大存储企业》

  • 《领先三星:SK 海力士被曝推进 1c DRAM 五层以上 EUV 工艺》

  • 《制程反超三星,消息称 SK 海力士将为定制 HBM4 内存导入 3nm 基础裸片》

  • 《三星电子与 SK 海力士的市值份额差距缩至近 13 年最小》

  • 《SK 海力士:AI 内存未来 6 年市场规模年均增长 30%,定制 HBM 是趋势》

  • 《SK 海力士 CEO 郭鲁正确认 2025 年 HBM 产能已售罄,预计 DeepSeek 的爆火将为其带来积极影响》

LOT物联网

iot产品 iot技术 iot应用 iot工程

Powered By LOT物联网  闽ICP备2024036174号-1

联系邮箱:support1012@126.com