三星电子
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三星 HBM4 计划明天于 SEDEX 2025 首发亮相，SK 海力士也将参展
三星电子与SK海力士将于10月22日在SEDEX 2025展会上首次公开展示HBM4内存，比预期提前一周。HBM4采用3D封装技术，性能与能效显著提升。三星采用1c纳米工艺，SK海力士则使用1b DRAM工艺，两家公司竞争激烈。TrendForce预测2025年SK海力士将占据HBM市场59%份额。#半导体##HBM4#
创三年来新高：三星电子预计 2025 三季度营业利润达 12.1 万亿韩元，同比增长 31.8%
三星电子预计三季度营业利润达12.1万亿韩元，同比增长31.8%，创三年来新高。半导体业务复苏是主要推动力。#三星电子# #半导体#
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AI 需求推高芯片价格，三星电子今年 Q3 利润有望达近三年最高值
据路透社今日报道，三星电子预计今年第三季度利润将达到自2022年以来的最高水平，主要得益于服务器需求带动的存储芯片价格上涨，同时客户重建库存推动销量回暖。
抢占 AI 存储市场下一风口，消息称三星电子已启动 HBF 高带宽闪存开发
对于大规模 AI 推理部署而言，传统的固态硬盘形态一般 NAND 存储难以满足高速输出的需求，而三星电子持有性能更为出色的 Z-NAND 技术。
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三星电子拟推出外语学习激励措施，以提高员工全球竞争力
据韩联社今日援引业内人士信息，三星电子决定调整外语评估体系，并引入新的奖励措施，帮助员工提升全球竞争力。
三星电子美国泰勒先进制程晶圆厂再获补助，得克萨斯州政府补贴 2.5 亿美元
三星将斥资 370 亿美元在美国建设先进半导体产能，其中在得州泰勒市将兴建两座 2nm 工艺晶圆厂，有望因此获得 47.45 亿美元的美国联邦层面补贴。
存储“涨声一片”：消息称三星电子上调 2025Q4 移动端 DRAM / NAND 产品合约价
存储市场的供需平衡正向有利供应商的方向倾斜，而 AI 浪潮与消费电子传统旺季双因素叠加进一步刺激了最近一段时间的需求。
英伟达被曝要求三星电子翻倍供应 GDDR7 显存
英伟达被曝要求三星电子将GDDR7显存供货量翻倍，三星已着手扩大产能，最快本月投运新产线。订单规模预计达数百亿至数万亿韩元，仅基板需求就约10.26亿元人民币。#芯片短缺##英伟达#
消息称三星在美“特斯拉专供”2nm 生产线 2026H2 投运，初期产能每月 1~1.5 万片晶圆
三星电子预计于本季度末到今年四季度中旬发布所需半导体设备采购订单，试产则在明年一季度关键设备导入后启动
韩企 DEEPX 联手三星打造全球首款 2nm 端侧生成式 AI 芯片，2027 年量产
这款名为 DX-M2 的端侧生成式 AI 芯片目标是以 5W 功耗在 20B 参数模型下实现每秒 20~30 Token 的推理输出。
突破晶圆限制：消息称三星正研发 415mm×510mm 面板级先进封装 SoP
基于晶圆的封装最多能处理 210mm×210mm 的方形系统，而 415mm×510mm 面板在放下一对这么大的系统之外还有富余空间。
特斯拉、苹果下单助推，消息称三星半导体在美投资有望增至 500 亿美元
三星电子承诺的《CHIPS》法案补贴绑定投资为 370 亿美元，较此前商议内容削减了一座先进封装设施。
历史首度：SK 海力士 2025Q2 反超三星电子成全球第一大存储企业
今年二季度 SK 海力士在 HBM 市场的出货量占比来到 62%，而三星电子已从一年前的 41% 降至 17%。
三星电子公布 2025Q2 正式业绩：营收 74.6 万亿韩元，环比下降 5.8%
三星电子二季度营业利润 4.7 万亿韩元，环比下降 29.9%。该企业确认 Galaxy XR 头显和 Trifold 三折叠产品将在年内推出。
消息称三星电子重新考虑在美国得州泰勒建设先进封装产线，涉约 70 亿美元投资
泰勒市晶圆厂获特斯拉大额先进制程订单和韩美贸易谈判进入关键阶段是三星考虑改变原先决策的两大背景。
消息称三星电子 2018 年错失与英伟达制程、HBM、CUDA 综合深度合作良机
三星集团时任实际领导人李在镕当时陷入一系列案件调查，影响了三星电子作出中长期决策的能力。
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三星电子 2025 年第二季度初步财报：营业利润 4.6 万亿韩元，同比下降 55.94%
这是三星电子自 2023 年第 4 季度（28247 亿韩元）以来首次跌破 5 万亿韩元。以第二季度为准，这是自 2023 年第二季度（6685 亿韩元）2 年来的最低水平。
消息称三星电子因迟迟未获英伟达许可砍半 HBM3E 内存产量，避免过多积压
另一方面，三星在 HBM3E 12Hi 上已通过博通的质量测试，有望借此间接向大型科技企业的 AI ASIC 供应。
三星晶圆代工举行 SAFE 论坛 2025 首尔场：聚焦挽回客户，引入 SF2P 工艺
三星计划将更多精力放在稳定与优化 2nm 及更早期制程工艺、提升良率表现上，相对放缓最先进制程推进速度。
消息称三星电子完成 1c 纳米 DRAM 内存工艺开发，准备向量产转移
三星电子的 HBM4 12Hi 内存将使用 1c nm DRAM Die，1c nm 的表现将很大程度影响三星存储器事业部未来 1~2 年的营收表现。
消息称三星电子计划 7 月初向主要客户出样 HBM4 12Hi 内存，16Hi 样品八月交付
虽然三星已有能力提供 HBM4 样品，但在 DRAM Die 和 HBM 堆栈的良率方面还有不小提升空间。
消息称三星电子 1c 纳米 DRAM 内存良率明显提升，设计改进起到关键作用
考虑到三星的 HBM4 内存就基于 1c nm DRAM，该工艺的良率改善有望为三星重振旗鼓打下坚实基础。
消息称三星紧抓 2nm 工艺：美国晶圆厂考虑明年初导入设备、资源从 1.4nm 集中
三星正讨论最早于 2026 年 1~2 月向美国泰勒晶圆厂引入 2nm 量产线所需设备；而 1.4nm 测试线的开建时间已从今年二季度延后。
消息称三星电子积极推动 NAND 工艺向 V9 转换，但 V10 量产节奏放缓
V9 NAND 的扩展旨在应对 AI 服务器对高容量 QLC 企业级 SSD 需求短暂低潮后的复苏，而 V10 节奏放缓与超低温蚀刻工艺有关。
消息称三星电子完成 SF4X UCIe 原型芯片首次性能评估，带宽 24Gbps
三星在去年针对自身工艺优化了 UCIe IP，此次样片在现有设计下工作正常。该企业未来还将把对 UCIe 的支持拓展到 2nm 级制程。