消息称三星电子积极推动 NAND 工艺向 V9 转换，但 V10 量产节奏放缓

6 月 20 日消息，韩媒 sisajournal-e 当地时间昨日报道称，三星电子正积极推进现有较旧 NAND 闪存生产设施向目前最先进的第九代 V-NAND（注：286 层）转换。

报道指出，三星目前正为其韩国平泽 P1 晶圆厂的 NAND 产能从 V6 更新至 V9 进行设备投资，并考虑将中国西安 X2 晶圆厂从目前的 V7 / V8 升级至 V9，旨在应对 AI 服务器对高容量 QLC 企业级 SSD 需求短暂低潮后的复苏。

不过，三星电子放缓了下一代 400 层 NAND 闪存工艺 V10 的量产进度，这与超低温蚀刻技术导入遇阻有关，可能导致 V10 NAND 量产线的投资建设计划延至 2026 年上半年。