我国半导体光刻设备发展现状与国际差距分析

近年来，我国在半导体芯片领域持续发力，努力缩小与国际先进水平的差距，但整体来看，仍存在较大距离，尤其是在关键设备领域，仍面临诸多挑战。

根据国际知名投行最新发布的报告，目前我国自主研发的光刻机主要能支持65nm工艺的芯片制造，与全球领先的光刻设备制造商相比，差距约为二十年。尽管中芯国际已经具备生产7nm工艺芯片的能力，但该报告认为，这很可能依赖于较为早期的深紫外（DUV）光刻技术，而相关设备并非国产，因为国内尚未掌握该类设备的自主制造能力，更遑论更先进的极紫外（EUV）光刻技术。

当前，最新一代的High-NA EUV光刻设备已经开始向英特尔、台积电和三星等企业交付，这对1.4nm及以下制程的开发至关重要。该设备重量达180吨，体积庞大，堪比一辆双层巴士，是目前全球最复杂、最昂贵的半导体制造设备之一，单台售价预计超过四亿美元。

报告中还提到，从65nm到3nm甚至更先进制程的发展，相关企业用了约二十年时间，累计投入超过四百亿美元的研发和资本支出。因此，综合考虑当前我国半导体行业的技术水平、先进制程研发所需的巨大资金与技术投入、全球产业链的复杂性以及地缘政治带来的不确定性，短期内我国在光刻设备领域要赶上国际先进水平仍面临较大困难。

数据显示，2025年第二季度，相关光刻设备制造商实现销售额七十七亿欧元，同比增长超过二成，毛利率达到百分之五十三点七，净利润为二十三亿欧元，同比增幅近百分之四十五。