EUV光刻机

挑战 ASML，俄罗斯公布国产极紫外光刻设备长期路线图

俄罗斯科学院公布国产极紫外光刻设备路线图，计划2026年起分三阶段研发11.2纳米波长技术，目标2037年实现亚10纳米制程。该技术采用氙气等离子体光源和钌/铍反射镜，规避ASML专利限制，主打高性价比小型晶圆厂需求。 #芯片制造##光刻机#