闪存
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铠侠出样 BiCS9 512Gb TLC NAND：结合 BiCS5 120 层堆叠与 3.6Gbps 高速 I/O
铠侠通过 CBA 解耦 NAND 存储单元阵列与外围 CMOS 电路的制造，BiCS9 以复用现有制程的方式提升技术性价比。
消息称三星电子计划明年 3 月启动第十代 4xx 层 V-NAND 量产线建设
V10 NAND 的 TLC 版本可实现 28Gb/mm2 的存储密度、5.6Gbps 的 I/O 引脚速率。
闪迪预计闪存市场很快升温：供需交叉将于上半年到来
闪迪认为在需求快速上升的背景下，几大闪存 NAND 闪存原厂将于二、三季度逐步走出减产状态，但产能回升幅度短期内仍无法匹配需求增加的水平。
消息称三星电子推动西安工厂闪存工艺进一步升级：年内建成 V9 NAND 产线
三星电子在去年先后宣布其基于第九代 V-NAND 技术的 TLC 和 QLC 颗粒量产，目前相关产品正在其韩国平泽 P4 工厂制造。
