美光
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美光首席商务官确认已向多领域客户发布 DDR4 / LPDDR4 内存 EOL 通知
这位高管预计明年一季度后消费性、PC 及数据中心用 DDR4 将缩产或减产，DDR4 严重缺货的现状将延续。
美光宣布在美投资增至 2000 亿美元，加建晶圆厂和 HBM 封装设施
美光计划在博伊西加建一座晶圆厂、建设 HBM 封装设施、对弗吉尼亚州马纳萨斯晶圆厂进行扩建和现代化。
消息称美光与力成达成独家协议，外包成熟 HBM2 封装以专注先进 HBM 内存制造
对 HBM2 的仍然存在，将 HBM2 的封装委外有助于美光腾出中科先进封装基地的产能空间用于 HBM3E、HBM4 制造。
美光宣布重新划分四大业务部门，以利用 AI 推动的全面变革性增长
美光的新业务部门设置强调了对大客户定制内存与存储解决方案的重视，并将车用存储摆到和嵌入式相当乃至更高的位置。
消息称美光即日起针对存储模组产品向美国客户征收“关税附加费”
东亚是全球的存储产业中心，而整个东亚地区均在美国额外加征范围。虽然这一新关税豁免了半导体芯片，但内存条、固态硬盘等模组产品仍会被征收。
美光发函确认正提升内存与存储产品定价，消息称涨幅 10%~15%
美光宣称由于内存和存储市场已开始走入复苏轨道，计划外需求的增加导致了供应紧张，美光因此涨价。
美光宣布其用于英伟达 AI 芯片的 HBM3E 及 SOCAMM 已量产出货
美光表示，SOCAMM 是一款与 NVIDIA 合作开发的模组化 LPDDR5X 内存解决方案，是全球速度最快、体积最小、功耗最低、容量最高的模组化内存解决方案。
消息称美光对 NAND 闪存新订单平均涨价 11%，年初工厂意外致供应趋紧
美光新加坡 NAND 工厂 1 月一度发生突发断电事故，造成部分晶圆产能的损失。这一意外减产与计划内减产形成叠加效应。
全球首家！美光宣布1γ内存开始出货：专为下一代CPU设计 AMD、Intel已开始验证
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美光抢滩 1γ DDR5 内存：最少化 EUV 使用，加速量产尖端 DRAM
美光、三星和SK海力士在DRAM生产中的技术路线差异，将直接影响未来市场竞争格局。美光的保守策略短期内可能带来量产优势，但长期来看，三星和SK海力士在EUV技术上的领先地位可能使其在良率和性能上占据上风。
台积电前董事长刘德音加入美光董事会，与英特尔前 CEO 鲍勃・斯旺聚首
这意味着两大先进制程企业的前任掌舵者将在美光展开合作。美光此次还为董事会聘请了来自四大会计师事务所之一德勤的 Christie Simons。
美光全球首款 G9 工艺 UFS 4.1/3.1 存储芯片开始出货，助力智能手机 AI 性能提升
今日美光科技宣布推出全球首款基于 G9 工艺节点的 UFS 4.1 和 UFS 3.1 智能手机存储解决方案，为设备带来更多本地人工智能功能。这些新型存储芯片预计将在美光 1y 工艺的 LPDDR5X 芯片推出后不久应用于旗舰产品，而 LPDDR5X 芯片将于 2026 年初上市。
美光DDR5内存升级1γnm工艺 首次EVU！轻松单条128GB 9200MHz
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美光新加坡 HBM 内存先进封装工厂动工，2026 年投运
该工厂将从 2027 年开始大幅提升美光的先进封装总产能，以满足 AI 芯片行业不断增长的 HBM 内存需求。
前西部数据总裁兼首席运营官 Mike Cordano 出任美光全球销售执行副总裁
Mike Cordano 在 2015~2020 年出任西部数据的总裁兼首席运营官，他将在美光负责监督全球销售和扩大市场覆盖。
美光豪掷 21.7 亿美元扩建弗吉尼亚工厂，提升美国特种 DRAM 产能
美国弗吉尼亚州州长格伦・杨金表示，美光计划投资 21.7 亿美元（IT之家备注：当前约 158.76 亿元人民币）扩建其位于弗吉尼亚州马纳萨斯的半导体工厂，创造 340 个就业岗位并提高其在美国的半导体生产能力。该项目将对该设施进行升级，以生产用于工业、汽车、航空航天和国防应用的特种 DRAM 存储器。
PC 和手机需求疲软，美光科技发布业绩预警后股价一度重挫约 18%
公司在声明中表示，在本财年截至明年2月的第二季度的销售额预计约为79亿美元（当前约 576.69 亿元人民币），低于市场平均预期的89.9亿美元。调整后每股收益预计为1.53美元，远低于预期的1.92美元。
