美光
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美光首席商务官 Sumit Sadana：2026 年 DRAM 内存供应局面将更为严峻
美光将与汽车领域客户合作，重新审视更高的 DRAM 内存定价水平；该企业已决定稍微延后 DDR4 的停产。
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美光 2025 财年营收同比增长近五成，合计达 373.78 亿美元
美光 2025 财年第四财季营收为 113.15 亿美元，环比增长 21.65%、同比增长 46.00%；该企业预计 2026 财年第一财季营收可达约 125 亿美元。
日本经济产业省宣布向美光广岛 DRAM 内存工厂授予最多 5360 亿日元补贴
美光计划斥资 1.5 万亿日元扩建广岛工厂以量产下一代 DRAM 内存，日本政府将为此提供 1/3 的补贴；另外的 360 亿日元则用于支持美光研发高性能存储器。
消息称美光全面暂停 DDR4/5 与 LPDDR4/5 内存报价，后续可能调涨 2~3 成
美光接下来的这轮产品价格变动源于下游需求预测与实际供应能力间存在明显缺口，将覆盖几乎所有应用领域。
美光回应中国区业务调整：公司将在全球范围内停止未来移动 NAND 产品的开发
美光回应中国区业务调整，因移动NAND市场疲软、增长放缓，将全球停研该产品，包括UFS5。不过会继续开发其他NAND方案及移动DRAM。此前3月刚宣布G9工艺存储芯片出货。##美光业务调整##
美光 2025 财年第三财季营收 93 亿美元：环比增 15.50%、同比增 36.56%
美光预计其在 2025 财年第四财季的营收规模可达 107±3 亿美元，相较第三财季进一步增长约 15%。
印度放宽半导体和电子元件制造业经济特区面积要求，批准美光 1300 亿卢比项目
印度政府表示此举是因为半导体与电子元件制造业是高度资本密集型的，依赖进口，并且在盈利之前需要更长的酝酿期。
美光首席商务官确认已向多领域客户发布 DDR4 / LPDDR4 内存 EOL 通知
这位高管预计明年一季度后消费性、PC 及数据中心用 DDR4 将缩产或减产，DDR4 严重缺货的现状将延续。
美光宣布在美投资增至 2000 亿美元，加建晶圆厂和 HBM 封装设施
美光计划在博伊西加建一座晶圆厂、建设 HBM 封装设施、对弗吉尼亚州马纳萨斯晶圆厂进行扩建和现代化。
消息称美光与力成达成独家协议，外包成熟 HBM2 封装以专注先进 HBM 内存制造
对 HBM2 的仍然存在，将 HBM2 的封装委外有助于美光腾出中科先进封装基地的产能空间用于 HBM3E、HBM4 制造。
美光宣布重新划分四大业务部门，以利用 AI 推动的全面变革性增长
美光的新业务部门设置强调了对大客户定制内存与存储解决方案的重视，并将车用存储摆到和嵌入式相当乃至更高的位置。
消息称美光即日起针对存储模组产品向美国客户征收“关税附加费”
东亚是全球的存储产业中心，而整个东亚地区均在美国额外加征范围。虽然这一新关税豁免了半导体芯片，但内存条、固态硬盘等模组产品仍会被征收。
美光发函确认正提升内存与存储产品定价，消息称涨幅 10%~15%
美光宣称由于内存和存储市场已开始走入复苏轨道，计划外需求的增加导致了供应紧张，美光因此涨价。
美光宣布其用于英伟达 AI 芯片的 HBM3E 及 SOCAMM 已量产出货
美光表示，SOCAMM 是一款与 NVIDIA 合作开发的模组化 LPDDR5X 内存解决方案，是全球速度最快、体积最小、功耗最低、容量最高的模组化内存解决方案。
