英诺赛科
英诺赛科
中长期目标超当前水平 5 倍，消息称英诺赛科 8 英寸氮化镓产能年底达 20000 WPM
英诺赛科计划未来数年通过产能提升和产品迭代，在性能与成本两端形成相对传统硅基功率半导体的显著优势。
美国 EPC 专利被判决无效，国内氮化镓半导体第一股英诺赛科获 ITC 案件终极胜利
这一判决从根本上否定了 EPC 针对英诺赛科的指控基础，标志着英诺赛科在 EPC 发起的这场长达两年的专利战中取得了完全胜利。
英诺赛科计划未来数年通过产能提升和产品迭代，在性能与成本两端形成相对传统硅基功率半导体的显著优势。
这一判决从根本上否定了 EPC 针对英诺赛科的指控基础，标志着英诺赛科在 EPC 发起的这场长达两年的专利战中取得了完全胜利。