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SK 海力士 HBM4 内存 16Hi 48GB 堆栈亮相慧与 HPE Discover 2025 活动
这一 HBM4 样品包含 16 层 24Gb DRAM Die，容量较此前已出样的 HBM4 12Hi 提升 1/3，I/O 通道数量较 HBM3E 翻倍。
Counterpoint：预计长鑫存储今年 DRAM 内存再增产近 50%，年末市占有望达 8%
长鑫存储的 DDR5 / LPDDR5 市场份额将从一季度的 1% 左右年末分别提升到 7% 和 9%。
HBM4 时代内存巨头加速混合键合技术导入，产品最快明年亮相
三星电子预计最早将于明年的 HBM4 内存中采用混合键合，而 SK 海力士可能会在稍晚的 HBM4E 中导入。
消息称三星电子调整人力资源分配：部分代工部门员工将转岗至 HBM 内存领域
三星试图在 HBM4 上扭转 HBM3 / HBM3E 供应进度落后的局面，对逻辑半导体更有经验的代工部门员工将强化 HBM 团队技术储备。
美光、SK海力士跟随中！三星对内存、闪存产品提价3-5%：客户已开始谈判新合同
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美光首席财务官 Mark Murphy：12Hi HBM3E 内存即将放量
美光宣称其 12Hi HBM3E 在容量是竞争对手产品 1.5 倍的同时功耗也比竞品低 20%。该企业目标在 HBM 细分领域取得 20% 市场份额。
