台积电推进2nm至1.4nm先进制程，中科二厂建设加速布局

台积电在先进制程领域持续领先，目前正推进2nm工艺N2的量产。在此基础上，公司已规划接下来将投产1.6nm的A16工艺，随后则是1.4nm的A14工艺。

为满足未来制程技术的发展需求，相关工厂的建设也在逐步展开。根据相关管理部门公布的信息，中科二厂园区的土建工程预计将于今年9月底完成，台积电计划在10月正式开始建厂工作。

除了台积电自身的工厂外，园区内另有约5公顷的土地可供使用，预计将吸引包括半导体设备厂商及IC设计企业在内的产业链上下游公司入驻，进一步完善区域产业生态。

早在今年4月，台积电就已披露了中科二厂的建设方案。该厂编号为Fab 25，规划建设4座晶圆制造厂。其中第一座预计将在2027年进入风险试产阶段，并于2028年下半年实现量产目标，初期规划的月产能为5万片晶圆。

即将导入的1.4nm A14工艺在性能方面表现突出。相比当前领先的N2工艺，A14在相同功耗条件下，可实现最高15%的性能提升；而在相同性能需求下，功耗则可降低多达30%。此外，A14工艺的逻辑密度也提升了超过20%，展现出显著的技术优势。