日月光推出具备 TSV 的 FOCoS-Bridge 先进封装技术，电阻较原版降低 72%

5 月 29 日消息，日月光 ASE 昨日宣布推出具备 TSV 硅通孔的 FOCoS-Bridge 先进封装技术。相较于原版 FOCoS-Bridge，TSV 的加入可提供更短的传输路径，实现更高的 I/O 密度与更好的散热效能，满足日益增长的带宽需求。

注意到，FOCoS-Bridge 是日月光 VIPack 平台的一部分，其采用嵌入在扇出 RDL 层内的微小硅桥实现 xPU 和 HBM 间的封装内互联，与台积电的 CoWoS-L、英特尔的 EMIB 有相近之处。

结合传统的横向信号连接，TSV 桥接芯片可在 FOCoS-Bridge 封装系统中为电力传输提供更短的垂直路径。与原版标准 FOCoS-Bridge 相比，FOCoS-Bridge TSV 的电阻和电感分别降低了 72% 和 50%。

日月光研发处长李德章表示：

HPC 和 AI 日益增长的应用加速了高计算性能需求，日月光 FOCoS-Bridge 可实现 SoC 和 Chiplets 与 HBM 的无缝整合。透过采用 TSV，FOCoS-Bridge 提高了计算和能源效率，并将我们的先进封装技术组合提升到一个新的水平。