我国研制碳纳米管超快电子源

我国科研人员在超快电子源技术方面取得重要进展。由上海交通大学与国家纳米科学中心组成的联合研究团队，成功研制出一种基于碳纳米管的新型超快电子源，其性能显著优于传统金属电子源。

长期以来，传统电子源难以在时间分辨率和空间分辨率上同时达到理想效果，这一技术瓶颈一直制约着相关领域的发展。而此次研发的碳纳米管电子源利用7飞秒的极短激光脉冲进行驱动，不仅实现了0.3电子伏特的极低能散，还保持了超短脉冲特性，有效兼顾了两项关键性能指标。

项目负责人之一、论文通讯作者戴庆教授表示，这种新技术相当于将高精度显微镜和高速摄像设备的功能结合于一体，使研究人员能够在原子尺度上清晰观察到超快动态过程。

这项技术的问世，将为超薄材料与纳米器件的研究提供强有力的支持，有助于揭示材料界面电荷转移、光催化反应机制等关键科学问题。

研究团队表示，该技术有望在未来两年内投入实际应用，或将带动我国在纳米科技领域实现更多具有原创性的技术突破。