消息称：ASML明年推出用于2nm芯片制造高NA光刻机

12月19日消息，据SamMobile消息称，ASML将于未来几个月内推出用于2nm制程节点的芯片制造设备，将数值孔径（NA）光学性能从0.33提高到0.55，而三星计划在2025年底开始生产2nm芯片。

根据报道，ASML明年规划产能仅有10台，而英特尔已经预订了其中6台，不过ASML计划在未来几年内将此设备产能提高到每年20台。

目前，ASML官网列出的EUV光刻机仅有两款 ——NXE:3600D和NXE:3400C，均配备0.33 NA的反射式投影光学器件及13.5nm EUV光源，分别适用于3/5nm和5/7nm芯片制造。

▲ NXE:3600D 

ASML发言人此前透露，EXE:5200是ASML下一代高NA系统，具有更高的光刻分辨率，可将芯片缩小1.7分之一，同时密度增加至2.9倍。

ASML第一台0.55 NA EUV光刻机计划于2025年后量产，第一台将交付给英特尔。与EXE:5000相比，EXE:5200预计将带来几项改进，包括更高的生产率等等。根据Gartner分析师Alan Priestley的预测，0.55 NA EUV光刻机单价将达到3亿美元。