南亚科技加速布局 AI DRAM，定制内存项目有望 2026 年取得验证

6 月 3 日消息，综合台媒《工商时报》《经济日报》报道，台湾地区内存企业南亚科技正在 AI DRAM 加速布局，力争在三大原厂全力争夺 HBM 市场的环境下从定制领域分得一杯羹。

南亚科技总经理李培瑛表示，AI 应用内存的四大关键元素分别是高密度先进 DRAM、3D TSV 硅通孔工艺与多芯片封装、HBM 设计能力、逻辑 Base Die（注：基础裸晶）。

南亚科技目前已完成高密度先进 DRAM 技术部署，正同伙伴补丁科技、福懋科技一道推进 TSV 和封装，HBM 设计和逻辑制程 Base Die 则将以战略性投资与合作形式实现。其定制化 DRAM 项目预计最快可在 2026 年取得验证，2026 年底至 2027 年贡献业绩。

对于当前市场环境，由于三大内存原厂减产停产 DDR3、DDR4，南亚科技正承接转单需求。而在市场提前备货的趋势下，南亚科技有望在三季度清理完毕库存，四季度力拼扭亏为盈。